原始标题：“黎明”比传统闪存快一百万倍！ Fudan University的综合芯片和全国钥匙发布的半导体最快的半导体电荷技术
原始标题：“黎明”比传统闪存快一百万倍！世界半导体中最快的半导体技术已发布。 Fudan综合芯片和系统国家实验室的研究团队以及芯片和系统边境技术研究所最近发??布了一种半导体电荷存储技术，该技术可能每秒进行25亿次操作，这是世界上最快的半导体存储技术。该结果已发表在国际知名的学术期刊上。 “ Breaking Dawn”可以每秒进行25亿次操作，Fudan大学研究团队被命名为“ Breaking Dawn”，该研究团的大小仅为1平方厘米，其外观与Ordinarry的记忆没有什么不同。但是，通过一种创新的物理机制，一次将记忆速度提高到400 picseconds以实现擦除或写入，而Picsecond仅等于1万亿美元第二。 “黎明”速度等于每秒25亿次操作，比传统闪存快100万倍。 Fudan University国家综合芯片和系统的国家关键实验室的研究人员Liu Chunsen：提高这种速度取得了巨大的成功，并且已经完全破坏了现有存储技术框架的理论瓶颈。据报道，团队 - 科学研究人员提出了一种新的加速方式。这项创新不仅在速度方面取得了巨大的成功，而且当启用这种新内存时，数据也不会消失。
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